SJ 20014-1992 半导体分立器件 GP、GT和GCT级3CG110型PNP硅小功率晶体管详细规范
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基本信息
标准名称: | 半导体分立器件 GP、GT和GCT级3CG110型PNP硅小功率晶体管详细规范 |
英文名称: | Semiconductor discrete device-Detail specification for PNP silicon low-power transistor for Type 3CG110 GP,GT and GCT classes |
中标分类: | 综合 >> 标准化管理与一般规定 >> 技术管理 |
发布部门: | 中国电子工业总公司 |
发布日期: | 1992-02-01 |
实施日期: | 1992-05-01 |
首发日期: | 1900-01-01 |
作废日期: | 1900-01-01 |
提出单位: | 中国电子工业总公司科技质量局 |
归口单位: | 中国电子技术标准化研究所 |
起草单位: | 中国电子技术标准化研究所和济南半导体 |
起草人: | 王长福、贾蕙蓉、钟泰富 |
出版社: | 电子工业出版社 |
出版日期: | 1992-04-01 |
页数: | 11页 |
适用范围
本规范规定了3CGl10B、3CGl1oc型PNP硅剁淘功率晶体管槛吗卞简称器件)的详细要求。每种器件均按GJB33-85《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。
前言
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引用标准
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所属分类: 综合 标准化管理与一般规定 技术管理
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